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碳化硅器件

SiC碳化硅MOSFETs

碳化硅 (SiC)功率器件】▶【碳化硅 (SiC)MOSFET
高速且坚固,并具备效率高、尺寸小、成本低的系统优势。
碳化硅MOSFET产品特性:
•低电容值,可支持高开关速度
•更高击穿电压和更低的导通电阻
•更高的系统效率
•更小的散热器需求
•增加应用系统开关频率。
碳化硅 (SiC)MOSFET为新能源充电桩、DC-DC转换器和服务器电源、光伏逆变器、变速电机驱动器等提供业界优秀的系统效率和性能。
电压:650VDC、1200VDC、1700VDC
贴片封装:TO-263-7
插件封装:TO-247-3、TO-247-4

  • 产品优势:高频率、高功率、高效率、低导通电阻
    产品应用:光伏逆变器、高压DC/DC变换器、电机马达驱动、开关电源、UPS、新能源汽车充电桩

    Number Part Number VDC IDC
    (TC=25℃)
    IDC
    (TC=100℃)
    RDS
    (TJ=25℃)
    Typ
    PD(TJ=25℃) Package
    1 KN3M0080120J 1700V 5A 3.5A 96W TO-247-3
    2 KN3M0050120B 1200V 43A 58A 50mΩ 327W
    3 KN3M080P120B 1200V 40A 28A 78mΩ 208W
    4 KN3M0080120B 1200V 31A 42A 80mΩ 300W
    1 KN3M0100120Q 1200V 100A 71A 20mΩ 428W TO-247-4
    2 KN3M0030065Q 650V 92A 65A 28mΩ 326W
    3 KN3M0060065Q* 650V 51A 97A 59mΩ 208W
    4 KN3M040P120Q 1200V 62A 44A 35mΩ 300W
    5 KN3M0040120Q* 1200V 55A 39A 40mΩ 300W
    6 KN3M0050120Q* 1200V 43A 58A 50mΩ 344W
    7 KN3M070P120Q 1200V 39A 27A 68mW 200W
    8 KN3M080P120Q 1200V 40A 28A 78mΩ 208W
    9 KN3M0080120Q* 1200V 31A 42A 80mΩ 300W
    10 KN3M0140120K 1200V 152A 108A 14mΩ 625W

    1 KN3M0080120J 1200V 32A 23A 80mΩ 136W TO-263-7

    以上规格仅供参考,带*规格为常用出货,可以直接下载规格书,其他规格需要规格书请咨询我们营业索取!
    我们可以根据客户要求定设计碳化硅MOS及封装,性能对标国际一线,国产成熟替代。邮箱:sales@knscha.com
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